سال ۲۰۲۰؛ بدترين سال فروش جهاني موبايل طي يك دههي اخيراز شن تا سيليكون؛ فرايند توليد تراشه 10 نانومتري اينتل در قالب ويدئويي ۴ دقيقه‌ايتوييتر تلگرامذخيره اينتل در اقدامي جالب ويدئويي جديد روي كانال يوتيوب خود به‌اشتراك گذاشته و از طريق آن به‌صورت خلاصه نشان مي‌دهد كه چه روندي براي ساخت تراشه‌ي ۱۰ نانومتري طي مي‌شود.
اينتل در ماه فوريه‌ي گذشته ويدئويي جالب در كانال يوتيوب خود به‌اشتراك گذاشت كه به‌دفعات زيادي ديده شد. در ويدئوي موردبحث، سفر تراشه‌ها از هنگام پي‌ريزي طرح مفهومي آن‌ها تا رسيدن به دست كاربران، به‌تصوير كشيده مي‌شد و ويدئوي ساخته‌شده به‌طور كلي جذابيت خاصي داشت. اينتل در همين راستا مدتي پيش ويدئويي ديگر نيز منتشر كرده است.
در ويدئوي جديد اينتل، مراحل توليد تراشه‌اي ۱۰ نانومتري به‌زباني رسا و به‌شكل كاملا سطحي نشان داده مي‌شود تا كاربران با روندي كه هر تراشه طي مي‌كند، آشنايي پيدا كنند. ناگفته نماند كه ويدئوي موردبحث اينتل در اوايل ماه جاري ميلادي منتشر شده است، بااين‌حال تماشاي آن مي‌تواند لذت‌بخش باشد؛ به‌خصوص با درنظرگرفتن مشكلات فراواني كه اينتل براي توليد تراشه‌ي ۱۰ نانومتري متحمل شد.
روند توليد تراشه‌هاي اينتل بدون شك پيچيده است. اينتل در اين روند دانه‌هاي شن را كه داراي درصد مشخصي سيليكون هستند، در نهايت به پردازنده تبديل مي‌كند. پردازنده‌هاي مركزي، قلب تپنده‌ي سيستم‌هاي مختلف را تشكيل مي‌دهند و مهم است كه در فرايند ساخت آن‌ها، هيچ اشكالي وجود نداشته باشد.
همان‌طور كه در ويدئوي منتشرشده از سوي اينتل مي‌بينيد، هر تراشه صدها مايل مسافت در طول دستگاه‌هاي مختلف و خودكار خطوط توليد طي مي‌كند. در طي اين فرايند، هر يك از تراشه‌ها بين ابزارهاي مختلف منتقل مي‌شوند تا روي آن‌ها كارهاي مختلفي صورت گيرد. هر يك از پردازنده‌ها يا به‌عبارت بهتر ويفرها (Wafer) براي ساخته‌شدن و فرم‌دهي ترانزيستورهايشان بيش از ۱٬۰۰۰ قدم طي مي‌كنند. اين فرآيندها درحالي صورت مي‌پذيرند كه هنوز به مرحله‌ي بسته‌بندي Die پردازنده‌ها نرسيده‌ايم.
اينتل در ويدئوي جديدش به‌صورت خلاصه به شماري از فناوري‌هاي خودش هم اشاره مي‌كند؛ فناوري‌هايي كه در نوع خودشان دستاوردهايي بسيار مهم به‌شمار مي‌آيند و نقشي اساسي در فرايند توليد تراشه‌ها ايفا مي‌كنند. اين شركت همچنين از فناوري‌هايي سخن به ميان مي‌آورد كه در ليتوگرافي FinFET مورداستفاده قرار مي‌گيرند كه از بين آن‌ها مي‌توانيم به Gate-Last و High-K Metal Gate اشاره كنيم. در بخش ديگري از ويدئو به فناوري ويژه‌ي اينتل با نام COAG (مخفف تماس ازطريق گيت فعال) اشاره مي‌شود. اينتل براي دستيابي به ليتوگرافي ۱۰ نانومتري با مشكلات زيادي مواجه بود. رسانه‌هاي متعددي پيش‌تر در گزارش‌هايي مدعي شده بودند كه فناوري COAG يكي از اصلي‌ترين مشكلاتِ قرارگرفته بر سر راه اينتل به‌شمار مي‌آمده است.
مقاله‌ي مرتبط:پردازنده‌ها چگونه طراحي و ساخته مي‌شوند؟ويدئوي جديد اينتل پس از مراحل بالا به بخش‌هاي پاياني نزديك مي‌شود؛ جايي كه مي‌بينيم ده‌ها سيمِ مرتبط‌به‌هم به تراشه اضافه مي‌شوند تا مدار اصلي، تشكيل و كامل شود. هرچه ترانزيستورهاي قرارگرفته روي تراشه‌ها كوچك‌تر شوند، مقاومت بالاتر مي‌رود. در ضمن اضافه شدن سيم‌هاي يادشده به مدار و به‌طور دقيق‌تر ترانزيستورها، مشكلاتي جديد نمايان مي‌كند كه از بين آن‌ها مي‌توانيم به مشكلاتي در زمينه‌ي حركت دادن انرژي در بخش‌هاي مختلف تراشه اشاره كنيم. براي مقابله با اين مشكل، اينتل تصميم گرفت براي اتصالات داخلي به‌جاي استفاده از سيم‌هاي مسي به استفاده از سيم‌هايي از جنس كُبالت روي بياورد. جالب است بدانيد كه برخي رسانه‌ها در گزارشاتي ديگر مدعي شده بودند اتخاذ همين تصميم از سوي اينتل، باعث شده است مشكلاتي مهم در زمينه‌ي دستيابي به ليتوگرافي ۱۰ نانومتري گريبان‌گير اين شركت شود.
يكي از انتقاداتي كه كارشناسان و كاربران به اينتل دارند، جا ماندن اين شركت از رقبا در زمينه‌ي دستيابي به ليتوگرافي‌هاي جديد است. اينتل به‌تازگي با انتشار اطلاعيه‌اي مشخص كرده است كه اين شرايط فعلا ادامه‌دار خواهد بود. براساس نقشه‌ي راه رسمي و با فرض اينكه مشكل خاصي پيش نيايد، اينتل تا پايان سال ۲۰۲۱ خواهد توانست به توليد تراشه‌هايي با ليتوگرافي ۷ نانومتري دست بزند. اينتل مي‌گويد انتظار ندارد تا زمان فرا رسيدن عصر پردازنده‌هاي ۵ نانومتري بتواند رهبري بازار را در زمينه‌ي ليتوگرافي در دست بگيرد. در خوشبينانه‌ترين حالت ممكن در اوايل سال ۲۰۲۳ شاهد ليتوگرافي ۵ نانومتري خواهيم بود.
منبع:zoomit.com
چهارشنبه ۰۶ فروردین ۹۹ | ۰۷:۲۱ ۷۶ بازديد
تا كنون نظري ثبت نشده است